10Gbps CWDM1271nmDFB芯片该芯片为高性能高速设计应用于4G/5G网络中
储存温度:-40摄氏度-85摄氏度
工作温度:-5摄氏度-85摄氏度
反向电压:2伏
正向电流:120毫安
正向电压:典型值1.25伏最大值1.35伏
斜效率:0.2 0.35 0.45mW/mA
边模抑制比:35db
电阻:9欧姆
峰值波长 :最小值λ-6.5 最大值λ+6.5nm
波长温度系数:0.09
带宽:最小值:12GHz 最大值:16GHz
每款产品均有相对应的数据参数,如果想要了解产品的技术规格书,请联系我们,我们会将规格书发送给你,我公司所有的产品都有质量保证有专业的售后工程师一对一的解答。