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900nm-2600nmPD探测器
2微米探测,探测波长范围900nm-2600nm,
光敏面 1mm
大球管帽有利于收光
广泛应用于气体检测接收端
1742nm 氯化氢
2004nm 二氧化碳
2121.8nm 一氧化碳
2122nm N2O
2326.8nm 氢气
InGaAs(铟镓砷)是一种重要的半导体材料,广泛应用于光电探测领域,尤其在高速探测、红外成像和气体分析中表现突出。其器件具有宽光谱响应范围(400-2600 nm)、高量子效率及小型化封装等特点,近年来在超薄结构设计和技术集成方面取得显著进展。
1. 材料特性与核心应用
InGaAs由铟、镓、砷元素组成,能带结构可调,可实现可见光到短波红外(SWIR)的宽光谱探测。传统探测器通常覆盖800-1700 nm波长,适用于光纤通信、激光雷达和气体检测(如CH4、CO2分析、H2氢气分析)。新型设计通过结构优化,将响应范围扩展至400-2600 nm,增强了多场景适用性。
2. 主流产品类型及封装
市场上InGaAs探测器产品多样化,包括:
TO5封装(2mm直径):适用于工业级高灵敏探测;
TO-CAN封装(500μm或1mm光敏面):体积小、成本低,适合集成化设备;
TO46平窗封装(1mm直径):兼顾透光性与机械强度。不同封装满足从实验室到工业现场的多层次需求,价格跨度从几十元到数万元不等,深圳等地为主要销售集散地。
900nm-2600nmPD探测器,实物图如下:
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